Оперативная память M378B5173EB0-YK0 4ГБ DDR3L 4GB 1600Mhz

Память DDR3L (низковольтная), объем одного модуля — 4 ГБ.
Рабочая частота 1600 МГц с пропускной способностью до 12800 МБ/с.
Тайминги (JEDEC): Штатная схема задержек CL11-11-11-28 (tRAS 28).
Форм-фактор: Стандартный 240-pin DIMM для стационарных ПК (настольных компьютеров).
Конфигурация: Небуферизованная память без ECC (Non-ECC Unbuffered UDIMM), шина 64-бит.
Набрана 8 чипами плотностью 4 Гбит (архитектура 512M x 64).
Преимущества и особенности:
Энергоэффективность DDR3L: Модуль работает при сниженном напряжении 1.35 В, что уменьшает тепловыделение внутри корпуса ПК на 15–20%.
Универсальная совместимость: Память обладает двойным вольтажом (Dual Voltage) и обратно совместима со старыми материнскими платами со слотами DDR3 1.5 В на платформах Intel и AMD.
Идеальный размер: Высота планки составляет строго 30 мм. Низкопрофильный дизайн без громоздких радиаторов позволяет устанавливать модуль под любые массивные процессорные кулеры.
Высокое качество: Позолоченные контакты защищены от окисления. Чипы памяти оригинального производства Samsung (ревизия E-die) обеспечивают максимальный срок службы.
Планка памяти отлично работает как самостоятельно, так и в паре, позволяя легко активировать скоростной двухканальный режим (Dual Channel).

Артикул

M378B5173EB0-YK0

Суммарный объем памяти

4 ГБ

Размеры, мм

14